砷化镓数字技术是什么,砷化镓用途?

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关于砷化镓数字技术的问题,小编就整理了4个相关介绍砷化镓数字技术的解答,让我们一起看看吧。

砷化镓用途?

砷化镓是一种无机化合物,化学式为GaAs,为黑灰色固体,是一种重要的半导体材料。可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料,用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。其电子迁移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。还可以用于制作转移器件─体效应器件。

1, 砷化镓电子器件的开发和利用;

2, 砷化镓光电器件的应用;

砷化镓芯片作用与价值?

砷化镓(gallium arsenide),化学式 GaAs。砷化镓是一种重要的半导体材料。GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性,使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时,GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压,所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。砷化镓原材料:

生产GaAs的原材料主要有Ga(镓)、As(砷)、Al2O3(氧化铝)、B2O3(氧化硼);其中,Ga(镓)是最为可贵的原材料。在微电子领域中,使用的化合物半导体材料属于高端产品,主要用于制作无线通讯(卫星通讯、移动通讯)、光纤通讯、汽车 电子等用的微波器件。在光电子领域中,使用的化合物半导体材料属于低端产品,主要用于制作发光二极管、激光器及其它光电子器件。

砷化镓的应用:

运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管)以发射微波。砷化镓材料具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙,消耗功率低的特性,广泛应用于高频及无线通讯 ,适于制作IC器件。从应用领域来说,主要在光电子领域和微电子领域。

砷化硅是什么?

砷化硅是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料,由于禁带宽度宽、电子迁移率高,因而不仅可直接研制光电子器件,如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器,红外探测器和高效太阳能电池等,而且在微电子方面,以半绝缘砷化镓为基体,用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管,具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点,不仅在国防上具有重要意义,在民用和国民经济建设中更有广泛应用。

砷化镓,什么是砷化镓?

砷化镓是一种化合物半导体材料,分子式GaAs。

立方晶系闪锌矿结构,即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格,其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV,是直接带隙半导体,熔点1238℃,质量密度5.307g/cm3,电容率13.18。

砷化镓单晶的导带为双能谷结构,其最低能谷位于第一布里渊区中心,电子有效质量是0.068m0(m0为电子质量,见载流子),次低能谷位于<111>方向的L点,较最低能谷约高出0.29eV,其电子有效质量为0.55m0,价带顶约位于布里渊区中心,价带中轻空穴和重空穴的有效质量分别为0.082m0和0.45m0。

较纯砷化镓晶体的电子和空穴迁移率分别为8000cm2/(V·s)和100~300cm2/(V·s),少数载流子寿命为10-2~10-3μs。

在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si,可获得N型半导体,掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体,掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107~108Ω·cm的半绝缘材料。

近十余年来,由于分子束外延和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术的发展,可在GaAs单晶衬底上制备异质结和超晶格结构,已用这些结构制成了新型半导体器件如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极型晶体管(HBT)及激光器等,为GaAs材料的应用开发了更广阔的前景。

到此,以上就是小编对于砷化镓数字技术的问题就介绍到这了,希望介绍砷化镓数字技术的4点解答对大家有用。

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