砷化镓数字技术是什么,砷化镓用途？

关于砷化镓数字技术的问题，小编就整理了4个相关介绍砷化镓数字技术的解答，让我们一起看看吧。

砷化镓是一种无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体，是一种重要的半导体材料。可以制成电阻率比硅、锗高3个数量级以上的半绝缘高阻材料，用来制作集成电路衬底、红外探测器、γ光子探测器等。其电子迁移率比硅大5～6倍，故在制作微波器件和高速数字电路方面得到重要应用。用砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点。还可以用于制作转移器件─体效应器件。

1， 砷化镓电子器件的开发和利用；

2， 砷化镓光电器件的应用；

砷化镓（gallium arsenide），化学式 GaAs。砷化镓是一种重要的半导体材料。GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。砷化镓原材料：

生产GaAs的原材料主要有Ga（镓）、As（砷）、Al2O3（氧化铝）、B2O3（氧化硼）；其中，Ga（镓）是最为可贵的原材料。在微电子领域中，使用的化合物半导体材料属于高端产品，主要用于制作无线通讯（卫星通讯、移动通讯）、光纤通讯、汽车 电子等用的微波器件。在光电子领域中，使用的化合物半导体材料属于低端产品，主要用于制作发光二极管、激光器及其它光电子器件。

砷化镓的应用：

运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。GaAs曾用来做成甘恩二极管、微波二极管和耿氏二极管)以发射微波。砷化镓材料具有很高的电子迁移率、宽禁带、直接带隙，消耗功率低的特性，广泛应用于高频及无线通讯 ，适于制作IC器件。从应用领域来说，主要在光电子领域和微电子领域。

砷化硅是继硅之后被研究最深入、应用最广泛的半导体材料，由于禁带宽度宽、电子迁移率高，因而不仅可直接研制光电子器件，如发光二极管、可见光激光器、近红外激光器、量子阱大功率激光器，红外探测器和高效太阳能电池等，而且在微电子方面，以半绝缘砷化镓为基体，用直接离子注入自对准平面工艺研制的砷化镓高速数字电路、微波单片电路、光电集成电路、低噪声及大功率场效应晶体管，具有速度快、频率高、低功耗和抗辐射等特点，不仅在国防上具有重要意义，在民用和国民经济建设中更有广泛应用。

砷化镓是一种化合物半导体材料，分子式GaAs。

立方晶系闪锌矿结构，即由As和Ga两种原子各自组成面心立方晶格套构而成的复式晶格，其晶格常数是5.6419A。室温下禁带宽度1.428eV，是直接带隙半导体，熔点1238℃，质量密度5.307g/cm3，电容率13.18。

砷化镓单晶的导带为双能谷结构，其最低能谷位于第一布里渊区中心，电子有效质量是0.068m0(m0为电子质量，见载流子)，次低能谷位于<111>方向的L点，较最低能谷约高出0.29eV，其电子有效质量为0.55m0，价带顶约位于布里渊区中心，价带中轻空穴和重空穴的有效质量分别为0.082m0和0.45m0。

较纯砷化镓晶体的电子和空穴迁移率分别为8000cm2/(V·s)和100～300cm2/(V·s)，少数载流子寿命为10-2～10-3μs。

在其中掺入Ⅵ族元素Te、Se、S等或Ⅳ族元素Si，可获得N型半导体，掺入Ⅱ族元素Be、Zn等可制得P型半导体，掺入Cr或提高纯度可制成电阻率高达107～108Ω·cm的半绝缘材料。

近十余年来，由于分子束外延和金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术的发展，可在GaAs单晶衬底上制备异质结和超晶格结构，已用这些结构制成了新型半导体器件如高电子迁移率晶体管(HEMT)、异质结双极型晶体管(HBT)及激光器等，为GaAs材料的应用开发了更广阔的前景。

到此，以上就是小编对于砷化镓数字技术的问题就介绍到这了，希望介绍砷化镓数字技术的4点解答对大家有用。